Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 8.8 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SIPMOS系列
- RS 库存编号:
- 911-4824
- 制造商零件编号:
- SPD08P06PGBTMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 911-4824
- 制造商零件编号:
- SPD08P06PGBTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8.8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 300mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | -1.55V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10nC | |
| 最大功耗 Pd | 42W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 6.22 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 8.8A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 SIPMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 300mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf -1.55V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10nC | ||
最大功耗 Pd 42W | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 6.22 mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 2.3mm | ||
长度 6.5mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
英飞凌 SIPMOS® 系列 MOSFET，8.8A 最大连续漏极电流，42W 最大功率耗散 - SPD08P06PGBTMA1
这款 MOSFET 专为需要高效开关和控制的应用而设计。它可处理 8.8A 的连续漏极电流和 60V 的漏极-源极电压，适用于各种电子电路。该设备可在宽广的温度范围内有效工作，提高了在具有挑战性的环境中的性能。
特点和优势
• 增强模式运行确保高效开关性能
• 大功率容量满足强大的电子应用需求
• 低 Rds（on）最大限度地减少了运行期间的能量损耗
• 采用 DPAK 封装，可有效实现表面贴装应用
应用
• 适用于汽车电子控制装置，可靠性高
• 工业设备电源管理系统的理想选择
• 适用于电动汽车的电池管理系统
• 用于可再生能源系统的逆变器技术
• 用于消费产品的电子开关装置
使用 P 沟道配置有什么影响？
P 沟道配置便于集成到高压侧开关应用中，为电路内的控制提供了便利。
热性能如何影响使用寿命？
它能在高达 +175°C 的温度下工作，从而提高了可靠性，延长了在恶劣环境下的使用寿命。
AEC-Q101 资格认证有什么意义？
该认证确认了其在汽车应用中的适用性，符合严格的可靠性和安全性标准。
能否与其他 MOSFET 一起使用？
是的，它可以与其他元件集成，为高效的多开关应用创建互补电路。
哪些因素会影响该设备的功率耗散？
关键因素包括运行期间的环境温度、漏电流和工作周期，所有这些都会影响整体热性能。