Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=6.2 A, 8针, SO-8, Si7850DP系列

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RS 库存编号:
919-0830
制造商零件编号:
SI7850DP-T1-E3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

6.2A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SO-8

系列

Si7850DP

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

22mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

1.8W

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

18nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

4.9mm

宽度

5.89mm

高度

1.04mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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