Infineon 射频放大器, 低噪声放大器, 最大2200 MHz, 噪声系数1.15dB, 6引脚, 19.3 dB功率增益
- RS 库存编号:
- 258-0660
- 制造商零件编号:
- BGA5M1BN6E6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 258-0660
- 制造商零件编号:
- BGA5M1BN6E6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 放大器类型 | 低噪声 | |
| 典型功率增益 | 19.3 dB | |
| 典型输出功率 | 60mW | |
| 典型噪声系数 | 1.15dB | |
| 最大工作频率 | 2200 MHz | |
| 封装类型 | TSNP-6-10 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
放大器类型 低噪声 | ||
典型功率增益 19.3 dB | ||
典型输出功率 60mW | ||
典型噪声系数 1.15dB | ||
最大工作频率 2200 MHz | ||
封装类型 TSNP-6-10 | ||
引脚数目 6 | ||
用于 LTE 中频段的 Infineon 高增益低噪声放大器是用于 LTE 的前端低噪声放大器,可覆盖从 1805 MHz 到 2200 MHz 的宽频率范围。在 Bypass 模式下,LNA 提供 4.7 dB 的插入损耗。它可在 1.5 V 至 3.6 V 电源电压下工作。该设备具有单行双状态控制。
B9HF 硅镀锌技术
射频输出内部匹配到 50 Ω
低外部组件数
无铅(符合 RoHS)封装
射频输出内部匹配到 50 Ω
低外部组件数
无铅(符合 RoHS)封装