产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	内存大小	64Mbit
	组织	8M x 8
	SDRAM类	DDR
	数据速率	200MHz
	数据总线宽度	8Bit
	位址总线宽	16Bit
	每字组的位元数目	8Bit
	最长随机存取时间	35ns
	字组数目	8M
	安装类型	贴片
	封装类型	FBGA
	引脚数目	24
	尺寸	8 x 6 x 1mm
	高度	1mm
	长度	8mm
	宽度	6mm
	最低工作温度	-40 °C
	最大工作电源电压	2 V
	最小工作电源电压	1.7 V
	最高工作温度	+105 °C

	选择全部
	品牌 Infineon
	内存大小 64Mbit
	组织 8M x 8
	SDRAM类 DDR
	数据速率 200MHz
	数据总线宽度 8Bit
	位址总线宽 16Bit
	每字组的位元数目 8Bit
	最长随机存取时间 35ns
	字组数目 8M
	安装类型贴片
	封装类型 FBGA
	引脚数目 24
	尺寸 8 x 6 x 1mm
	高度 1mm
	长度 8mm
	宽度 6mm
	最低工作温度 -40 °C
	最大工作电源电压 2 V
	最小工作电源电压 1.7 V
	最高工作温度 +105 °C

Datasheet - S27KS0643GABHV020

Cypress Semiconductor S27KL0642 S27KS0642 是一款 64 mb hyperram 、是一款高速 cmos 、自刷新的 ram 、具有超总线接口。内存阵列使用需要定期刷新的动态单元。设备内的刷新控制逻辑可在内存未被 hyper bus Master （主机）主动读取或写入时管理内存阵列上的刷新操作。由于主机不需要管理任何刷新操作，因此内存在主机上显示为使用静态单元来保留数据而不刷新。因此，此内存被更准确地调用，或者可以被描述为伪静态 ram (pseudo 静态 ram ， pram ， pram ， pseudo 静态 ram ， pram ）。

温度范围：-40°C 至 +85°C
接口带宽（ mbps ）： 400Mbps
符合 RoHS

单位	每单位	每包*
4 - 80	RMB26.338	RMB105.35
84 - 164	RMB25.76	RMB103.04
168 +	RMB25.205	RMB100.82

Infineon DDR DDR芯片, 64Mbit, 8M x 8, FBGA, 24针, 8M字组, 200MHz, 贴片安装

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。