54147 产品显示为 分立半导体
- RS 库存编号 806-1779P
- 制造商零件编号 MM3Z11VB
- 品牌 onsemi
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 11V
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个 (以每卷装提供)
RMB0.32(不含税)
- RS 库存编号 238-7448P
- 制造商零件编号 V20PW45CHM3/I
- 品牌 Vishay
- 产品类型 整流器和肖特基二极管
- 安装类型 表面
- 包装类型 TO-252
- 最大连续正向电流 If 20A
个 (以每卷装提供)
RMB6.415(不含税)
- RS 库存编号 122-3264
- 制造商零件编号 SMAZ6V8-13-F
- 品牌 DiodesZetex
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 6.8V
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个（每带 5000 ）
RMB0.729(不含税)
- RS 库存编号 277-400P
- 制造商零件编号 6DFN15CA-M3/I
- 品牌 Vishay
- 二极管配置 单路
- 方向类型 双向
- 最大钳位电压 21.2V
- 最小击穿电压 14.3V
个 (以每卷装提供)
RMB1.113(不含税)
- RS 库存编号 543-2519
- 制造商零件编号 VS-10MQ060-M3/5AT
- 品牌 Vishay
- 安装类型 贴片
- 封装类型 DO-214AC
- 最大连续正向电流 1.5A
- 峰值反向重复电压 60V
个（每托盘 10 ）
RMB1.657(不含税)
- RS 库存编号 239-5394
- 制造商零件编号 SiR588DP-T1-RE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 59.5A
- 最大漏源电压 Vd 80V
个（每托盘 10 ）
RMB5.425(不含税)
- RS 库存编号 485-7816
- 制造商零件编号 STP60NF06L
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 60A
- 最大漏源电压 Vd 60V
个（每托盘 5 ）
RMB4.354(不含税)
- RS 库存编号 795-8874
- 制造商零件编号 SM15T75CAY
- 品牌 STMicroelectronics
- 二极管配置 单路
- 方向类型 双向
- 最大钳位电压 134V
- 最小击穿电压 71.3V
个（每托盘 5 ）
RMB7.498(不含税)
- RS 库存编号 543-1588P
- 制造商零件编号 VS-30BQ100-M3/9AT
- 品牌 Vishay
- 产品类型 肖特基整流器
- 安装类型 表面
- 包装类型 DO-214AB (SMC)
- 最大连续正向电流 If 3A
个 (以每卷装提供)
RMB6.54(不含税)
- RS 库存编号 761-2792
- 制造商零件编号 STF26NM60N
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 20A
- 最大漏源电压 Vd 600V
个
RMB28.60(不含税)
- RS 库存编号 145-8596
- 制造商零件编号 IKP15N60TXKSA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 26 A
- 最大集电极-发射极电压 600 V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 最大功率耗散 130 W
每管：50 个
RMB7.25(不含税)
- RS 库存编号 805-1891
- 制造商零件编号 NUP4114UPXV6T1G
- 品牌 onsemi
- 特性 ESD保护
- 二极管配置 复杂阵列
- 方向类型 单向
- 最大钳位电压 10V
个
RMB2.868(不含税)
- RS 库存编号 232-0412P
- 制造商零件编号 IMZA65R072M1HXKSA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 28A
- 最大漏源电压 Vd 650V
个 (以每管装提供)
RMB53.01(不含税)
- RS 库存编号 687-1053
- 制造商零件编号 TYN610RG
- 品牌 STMicroelectronics
- 额定平均通态电流 6.4A
- 可控硅类型 SCR
- 封装类型 TO-220AB
- 重复峰值反向电压 600V
个（每托盘 5 ）
RMB9.194(不含税)
- RS 库存编号 285-5915
- 制造商零件编号 STP80N900K6
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 6A
- 最大漏源电压 Vd 800V
个
RMB15.89(不含税)
Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 13 A, ThinPAK, 表面安装, 5引脚, IPL60R285P7AUMA1, 600V CoolMOS CFD7系列
- RS 库存编号 215-2524
- 制造商零件编号 IPL60R285P7AUMA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 13A
- 最大漏源电压 Vd 600V
个（每托盘 10 ）
RMB8.211(不含税)
- RS 库存编号 178-5650
- 制造商零件编号 2SC4081U3T106
- 品牌 ROHM
- 晶体管类型 NPN
- 最大直流集电极电流 150 mA
- 最大集电极-发射极电压 50 V
- 封装类型 SOT-323 (SC-70)
个（每带 3000 ）
RMB0.371(不含税)
- RS 库存编号 169-7206
- 制造商零件编号 PSMN2R7-30PL,127
- 品牌 Nexperia
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 100A
- 最大漏源电压 Vd 30V
个（每带 1000 ）
RMB10.661(不含税)
- RS 库存编号 263-857
- 制造商零件编号 ZVN2106A
- 品牌 DiodesZetex
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 450mA
- 最大漏源电压 Vd 60V
个（每托盘 5 ）
RMB5.668(不含税)
- RS 库存编号 204-7229P
- 制造商零件编号 SIHU5N80AE-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 4.4A
- 最大漏源电压 Vd 800V
个 (以每卷装提供)
RMB4.581(不含税)