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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | RMB3.996 | RMB11,988.00 |
| 15000 + | RMB3.836 | RMB11,508.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-7385
- 制造商零件编号:
- FDMC8462
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 封装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 最大功率耗散 | 41 W | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 3.3 x 3.3 x 1.05mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
封装类型 PQFN | ||
安装类型 贴片 | ||
最大功率耗散 41 W | ||
引脚数目 8 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 3.3 x 3.3 x 1.05mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
这种 N 通道 MOSFET 采用 Advanced Power Trench ® 工艺制造，该工艺经过特别定制，可最大程度地降低电阻，同时保持卓越的开关性能。
最大 RDS (on) =5.8M Ω ， VGS =10V ， ID =13.5A
最大 RDS (on) =8.0M Ω ， VGS = 4.5V ，识别号 =11.8 A
薄型 - 最大功率为 1 mm 33
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。
最大 RDS (on) =8.0M Ω ， VGS = 4.5V ，识别号 =11.8 A
薄型 - 最大功率为 1 mm 33
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。