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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB3.423 | RMB10,269.00 |
| 6000 - 9000 | RMB3.355 | RMB10,065.00 |
| 12000 + | RMB3.288 | RMB9,864.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-7429
- 制造商零件编号:
- NTHD3100CT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 套件 | |
| 包装类型 | ChipFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 晶体管配置 | 补码 | |
| 最大功耗 Pd | 1.1W | |
| 晶体管极性 | N 沟道和 P 沟道 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 宽度 | 2 mm | |
| 系列 | NTHD3100C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 标准/认证 | Pb-Free | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 套件 | ||
包装类型 ChipFET | ||
安装类型 表面 | ||
晶体管配置 补码 | ||
最大功耗 Pd 1.1W | ||
晶体管极性 N 沟道和 P 沟道 | ||
最高工作温度 150°C | ||
引脚数目 8 | ||
宽度 2 mm | ||
系列 NTHD3100C | ||
高度 1.1mm | ||
标准/认证 Pb-Free | ||
长度 3.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
功率 MOSFET 互补， 20V ， +3.9A/-4.4A ChipFET ™
补充 N 通道和 P 通道 MOSFET
尺寸小，比 TSOP-6 封装小 40%
无铅 SMD 封装提供出色的热特性
沟道 P 信道，用于低接通电阻
低栅电荷 N 通道，用于测试切换
应用
直流 - 直流转换电路
负载切换应用程序需要水平切换
驱动小型无刷直流电机
适用于便携式电池供电产品中的电源管理应用