制造商编号

onsemi NPN达林顿晶体管, Ic=8 A, VCEO=100 V, hFE=100, Pd=20 W, 1路, TO-252, MJD122系列

RS 库存编号:: 100-7578
制造商零件编号:: MJD122T4G
制造商:: onsemi

onsemi NPN达林顿晶体管, Ic=8 A, VCEO=100 V, hFE=100, Pd=20 W, 1路, TO-252, MJD122系列

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RMB6,702.50

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onsemi NPN达林顿晶体管, Ic=8 A, VCEO=100 V, hFE=100, Pd=20 W, 1路, TO-252, MJD122系列

RS 库存编号: 463-189

个（每托盘 20 ）

RMB115.36

(不含税)

RMB130.36

(含税)

RS 库存编号:: 100-7578
制造商零件编号:: MJD122T4G
制造商:: onsemi

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	产品类型	达林顿晶体管
	最大连续集电极电流 Ic	8A
	最大集电极-发射极电压 Vceo	100V
	包装类型	TO-252
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	每片芯片元件数目	1
	最小直流电流增益 hFE	100
	最低工作温度	-65°C
	最大集电极-基极电压 VCBO	100V
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	2V
	最大功耗 Pd	20W
	晶体管极性	NPN
	最大发射极-基极电压 VEBO	5V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	系列	MJD122
	高度	2.38mm
	长度	6.73mm
	最大集电极-基极截止电流	10μA
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 onsemi
	产品类型达林顿晶体管
	最大连续集电极电流 Ic 8A
	最大集电极-发射极电压 Vceo 100V
	包装类型 TO-252
	安装类型表面
	引脚数目 3
	每片芯片元件数目 1
	最小直流电流增益 hFE 100
	最低工作温度 -65°C
	最大集电极-基极电压 VCBO 100V
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2V
	最大功耗 Pd 20W
	晶体管极性 NPN
	最大发射极-基极电压 VEBO 5V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	系列 MJD122
	高度 2.38mm
	长度 6.73mm
	最大集电极-基极截止电流 10μA
	汽车标准 AEC-Q101

COO (Country of Origin):: CZ

NPN 复合晶体管，On Semiconductor

Standards

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

onsemi NPN达林顿晶体管, Ic=8 A, VCEO=100 V, hFE=100, Pd=20 W, 1路, TO-252, MJD122系列

替代产品

NPN 复合晶体管，On Semiconductor

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