Infineon N沟道IGBT, 3针, Ic 160 A, VCEO 650 V, PG-TO-247-3-PLUS-N

RS 库存编号:: 284-990
制造商零件编号:: IKQ150N65EH7XKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道IGBT, 3针, Ic 160 A, VCEO 650 V, PG-TO-247-3-PLUS-N

小计（1 管，共 30 件）*

RMB1,694.88

(不含税)

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单位	每单位	Per Tube*
30 +	RMB56.496	RMB1,694.88

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RS 库存编号:: 284-990
制造商零件编号:: IKQ150N65EH7XKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	最大连续集电极电流 Ic	160A
	产品类型	IGBT
	最大集电极-发射极电压 Vceo	650V
	最大功耗 Pd	621W
	包装类型	PG-TO-247-3-PLUS-N
	安装类型	通孔
	槽架类型	N
	引脚数目	3
	最低工作温度	-40°C
	最大栅极发射极电压 VGEO	±20 V
	最高工作温度	175°C
	宽度	15.9mm
	高度	5.1mm
	标准/认证	IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068
	长度	20.1mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	最大连续集电极电流 Ic 160A
	产品类型 IGBT
	最大集电极-发射极电压 Vceo 650V
	最大功耗 Pd 621W
	包装类型 PG-TO-247-3-PLUS-N
	安装类型通孔
	槽架类型 N
	引脚数目 3
	最低工作温度 -40°C
	最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V
	最高工作温度 175°C
	宽度 15.9mm
	高度 5.1mm
	标准/认证 IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068
	长度 20.1mm
	汽车标准否

Datasheet - IKQ150N65EH7XKSA1

COO (Country of Origin):: DE

Infineon IGBT 以其高速和低饱和电压设计展现了先进性能，专为各行业的严苛应用而打造。此产品采用先进的沟槽截止型IGBT7技术，可在650V电压下实现卓越效率。它采用共封装结构，配备柔软、快速复位的发射极控制7二极管，确保卓越的可靠性和集成电路性能。该产品适用于工业 UPS 系统和电动汽车充电站。设计时考虑到了耐湿性，在恶劣环境中更加耐用。

提供低开关损耗以确保效率

提供低集电极-发射极饱和电压

经过优化，适用于硬开关应用

确保湿度稳定性以提高可靠性

提供一系列产品和 PSpice 型号

符合工业应用和严格标准

Infineon N沟道IGBT, 3针, Ic 160 A, VCEO 650 V, PG-TO-247-3-PLUS-N

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