Infineon N沟道IGBT, 3针, Ic 40 A, VCEO 650 V, TO-247, High Speed Fifth Generation系列

RS 库存编号:: 110-7779
制造商零件编号:: IKW40N65H5FKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道IGBT, 3针, Ic 40 A, VCEO 650 V, TO-247, High Speed Fifth Generation系列

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RS 库存编号:: 110-7779
制造商零件编号:: IKW40N65H5FKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	IGBT
	最大连续集电极电流 Ic	40A
	最大集电极-发射极电压 Vceo	650V
	最大功耗 Pd	250W
	包装类型	TO-247
	安装类型	通孔
	槽架类型	N
	引脚数目	3
	最大栅极发射极电压 VGEO	±20 V
	最低工作温度	-40°C
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	2.1V
	最高工作温度	175°C
	系列	High Speed Fifth Generation
	标准/认证	JEDEC, RoHS
	汽车标准	否
	额定能量	0.51mJ

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 IGBT
	最大连续集电极电流 Ic 40A
	最大集电极-发射极电压 Vceo 650V
	最大功耗 Pd 250W
	包装类型 TO-247
	安装类型通孔
	槽架类型 N
	引脚数目 3
	最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V
	最低工作温度 -40°C
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.1V
	最高工作温度 175°C
	系列 High Speed Fifth Generation
	标准/认证 JEDEC, RoHS
	汽车标准否
	额定能量 0.51mJ

Infineon High Speed Fifth Generation 系列 IGBT，650V 最大集电极/发射极电压，40A 最大连续集电极电流 - IKW40N65H5FKSA1

该 IGBT 是一款电源开关设备，专为苛刻工业环境中的高速开关而设计。它作为 N 通道晶体管工作，适用于通孔安装，并适用于需要稳健电压阻断和持续大电流处理能力的应用。该组件符合公认的工业标准，适用于需要在宽温度范围内提供可靠耐热性的设计人员。

特性和优点：

• 650V 集电极-发射极额定值，可实现高压开关能力
• 40A 连续集电极电流，适用于重载处理
• 2.1V VCE(sat) 低饱和，可提高传导效率
• 最大功耗为 250W，可实现持久的热性能
• ±20V 栅极-发射极极限，用于栅极电压保护
• 0.51mJ 能量额定值，可实现快速开关适应性

应用

• 适用于工业电机控制中的变频器模块
• 适用于处理高压导轨的电源
• 与需要高速切换的转换器配合使用
• 可用于焊接或感应加热功率级
• 适用于实验室工作台原型设计，采用通孔安装

它在运行过程中能耐受哪种热环境？

其工作温度范围为 -40°C 至 175°C，适用于从冷库到高温工业机柜等应用。

PCB 集成提供哪种封装和安装方式？

它采用 TO-247 封装，配置为通孔安装，可实现简单的散热和组装。

它符合哪些材料和制造标准？

该设备符合 JEDEC 认证和 RoHS 材料限制，表示标准化制造和受限有害物质。

具有多少电气连接，通道类型是什么？

它有三个引脚，并采用 N 型通道拓扑结构，适用于开关应用。