Infineon N沟道igbt模块, Ic 700 A, VCEO 1.2 kV, 0.06 μs, AG-62MM-2, FZ600R12KS4系列

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111-6096
制造商零件编号:
FZ600R12KS4HOSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

igbt模块

最大连续集电极电流 Ic

700A

最大集电极-发射极电压 Vceo

1.2kV

最大功耗 Pd

3900W

包装类型

AG-62MM-2

安装类型

夹子

槽架类型

N

开关速度

0.06μs

最大栅极发射极电压 VGEO

20 V

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

3.85V

最低工作温度

-40°C

最高工作温度

125°C

系列

FZ600R12KS4

宽度

61.4mm

高度

36.5mm

长度

106.4mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

IGBT 模块，Infineon


Infineon

TM

TMTMTM

IGBT 分立器件和模块，Infineon


绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 是一种三端子功率半导体器件，以高效率和快速开关特性著称。IGBT 在单个器件中，将用于控制输入的隔离栅 FET 和用作开关的双极型功率晶体管相结合，从而兼具 MOSFET 的简单栅极驱动特性以及双极型晶体管的高电流、低饱和电压能力。

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