onsemi N型沟道 IGBT-超场截止, Ic 25 A, VCEO 1200 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装, 1 MHz

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145-3284
制造商零件编号:
NGTB25N120FL3WG
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

最大连续集电极电流 Ic

25A

产品类型

IGBT-超场截止

最大集电极-发射极电压 Vceo

1200V

最大功耗 Pd

349W

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

槽架类型

N型

引脚数目

3

开关速度

1MHz

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

1.7V

最大栅极发射极电压 VGEO

±30 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

系列

Field Stop

长度

20.8mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

IGBT 分立,On Semiconductor


绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT),用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。

IGBT 分立,On Semiconductor


绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。