onsemi N沟道IGBT, Ic 80 A, VCEO 650 V, 3针, TO-247, 通孔安装

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185-8671
制造商零件编号:
AFGHL40T65SPD
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

最大连续集电极电流

80 A

最大集电极-发射极电压

650 V

最大栅极发射极电压

±20V

晶体管数

1

最大功率耗散

267 W

封装类型

TO-247

安装类型

通孔

通道类型

N

引脚数目

3

晶体管配置

尺寸

15.87 x 4.82 x 20.82mm

汽车标准

AEC-Q101

额定能量

51mJ

最高工作温度

+175 °C

栅极电容

1518pF

最低工作温度

-55 °C

不符合

COO (Country of Origin):
CN
主要升级与 FGH40T65SPD-F085 相比,引线长度增加到 20mm ,更适合系统组装工作。3 x 额定电流动态屏蔽测试应用于最终测试,因此 100% 的部件在切换过程中不会受到锁定。窄的最终测试 DC 规格, GET 更紧密的分布式 VCE_SAT 和 VF 。

100% 的部件进行动态测试
严格的参数分配
增强的瞬态抗扰性
并行使用时更好的电流共享
应用
空调 E -压缩机
板载充电器
PTC 加热器
马达驱动
其它汽车动力传动应用
最终产品
扩展验证
海夫 / 海夫

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。