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- RS 库存编号:
- 180-7319
- 制造商零件编号:
- SI7489DP-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay 表面安装 P 沟道 SO-8 MOSFET 是一款新时代的产品，漏极源电压为 100V ，最大栅极源电压为 20V。它在栅极源电压为 10V 时具有 41mms 的漏 - 源电阻。它的最大功耗为 83W ，连续漏极电流为 28A。它的最小和最大驱动电压分别为 4.5V 和 10V。此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
• 无卤素
•新型低热阻 PowerPAK 封装，薄型 1.07mm
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
• PWM 优化
• TrenchFET 功率 MOSFET
•新型低热阻 PowerPAK 封装，薄型 1.07mm
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
• PWM 优化
• TrenchFET 功率 MOSFET
应用
•半桥电动机驱动器
•高电压非同步降压转换器
•负载开关
•高电压非同步降压转换器
•负载开关
认证
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• IEC 61249-2-21
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• IEC 61249-2-21