Infineon N沟道IGBT单晶体管芯片, 3针, Ic 60 A, VCEO 1.2 kV, TO-247, Resonant Switching系列

RS 库存编号:: 226-6077
制造商零件编号:: IHW30N120R5XKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道IGBT单晶体管芯片, 3针, Ic 60 A, VCEO 1.2 kV, TO-247, Resonant Switching系列

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RS 库存编号:: 226-6077
制造商零件编号:: IHW30N120R5XKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	最大连续集电极电流 Ic	60A
	产品类型	IGBT单晶体管芯片
	最大集电极-发射极电压 Vceo	1.2kV
	最大功耗 Pd	330W
	包装类型	TO-247
	安装类型	通孔
	槽架类型	N
	引脚数目	3
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	1.55V
	最低工作温度	-40°C
	最大栅极发射极电压 VGEO	25 V
	最高工作温度	175°C
	系列	Resonant Switching
	高度	5.21mm
	长度	42mm
	标准/认证	RoHS
	宽度	16.13mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	最大连续集电极电流 Ic 60A
	产品类型 IGBT单晶体管芯片
	最大集电极-发射极电压 Vceo 1.2kV
	最大功耗 Pd 330W
	包装类型 TO-247
	安装类型通孔
	槽架类型 N
	引脚数目 3
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.55V
	最低工作温度 -40°C
	最大栅极发射极电压 VGEO 25 V
	最高工作温度 175°C
	系列 Resonant Switching
	高度 5.21mm
	长度 42mm
	标准/认证 RoHS
	宽度 16.13mm
	汽车标准否

Datasheet - IHW30N120R5XKSA1

Infineon 谐振开关系列 IGBT 单晶体管 IC,1200V 最大集电极发射极电压,60A 最大连续集电极电流 - IHW30N120R5XKSA1

这款 IGBT 单晶体管 IC 是一款三针通孔功率晶体管,专为谐振转换器拓扑中的高压切换而设计。它可在宽温度范围内运行,适用于需要高集电极-发射极电压和大量连续电流的严苛工业环境。

特性和优点：

• 1200V 集电极-发射极额定值可实现高压开关能力
• 60A 连续集电极电流支持重传导负载
• 1.55 V VCE(sat)在接通状态下提供低传导损耗
• 330W 最大功耗,可实现高功率处理
• 最大 25 V 栅极发射极可防止栅极过载

应用

• 适用于工业系统中的谐振转换器功率级
• 适用于需要 1200V 设备的高压电源
• 用于需要 60 A 连续功率的开关模块
• 可在高达175°C的热应力环境中使用
• 适用于通孔组件和可维护电源板

应遵守哪些栅极保护限值?

将栅极发射极偏移保持在 ±25 V 范围内,以防止栅极断开。

热量范围对安装选择有何影响?

该设备的工作温度范围为 -40 °C 至 175 °C,因此散热和气流必须与上限温度匹配,以保持安全的接点温度。

需要哪种安装方式才能实现可靠运行?

通孔安装到 PCB 或绝缘散热器安装,确保机械稳定性和导热性。

它在电路板布局中提供哪种封装和针脚数?

它采用 TO‐247 封装,配有三个用于标准电源板尺寸的引脚。