Infineon N型沟道 IGBT, 7个, Ic 75 A, VCEO 1200 V, 31引脚, 模块, 底盘安装
- RS 库存编号:
- 232-6716
- 制造商零件编号:
- FP75R12N2T7B11BPSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 托盘，共 10 件）*
¥8,779.68
(不含税)
¥9,921.04
(含税)
暂时缺货
- 在 2027年3月29日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tray* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB877.968 | RMB8,779.68 |
| 50 + | RMB860.408 | RMB8,604.08 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 232-6716
- 制造商零件编号:
- FP75R12N2T7B11BPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 75A | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1200V | |
| 晶体管数 | 7 | |
| 最大功耗 Pd | 20mW | |
| 包装类型 | 模块 | |
| 安装类型 | 底盘 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 31 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.55V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 107.5mm | |
| 高度 | 21.3mm | |
| 系列 | FP75R12N2T7_B11 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 Ic 75A | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V | ||
晶体管数 7 | ||
最大功耗 Pd 20mW | ||
包装类型 模块 | ||
安装类型 底盘 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 31 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.55V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 107.5mm | ||
高度 21.3mm | ||
系列 FP75R12N2T7_B11 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 的 EconoPIM 2 ， 75 A 三相 PIM IGBT 模块采用 TRENCHSTOP IGBT7 ，发射极控制 7 二极管， NTC 和压配触点技术。集成整流器和制动斩波器的 PIM (电源集成模块) 可节省系统成本。潜在应用包括辅助变频器，电动机驱动器和伺服驱动器。
符合 RoHS 标准的模块
铜基板，用于优化散热
高功率密度