制造商编号

STMicroelectronics N沟道IGBT, 3针, Ic 150 A, VCEO 1.2 kV, 1 MHz, Max247

RS 库存编号:: 234-8892
制造商零件编号:: STGYA75H120DF2
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道IGBT, 3针, Ic 150 A, VCEO 1.2 kV, 1 MHz, Max247

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RS 库存编号:: 234-8892
制造商零件编号:: STGYA75H120DF2
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	产品类型	IGBT
	最大连续集电极电流 Ic	150A
	最大集电极-发射极电压 Vceo	1.2kV
	最大功耗 Pd	750W
	包装类型	Max247
	安装类型	通孔
	槽架类型	N
	引脚数目	3
	开关速度	1MHz
	最低工作温度	-55°C
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	2.6V
	最大栅极发射极电压 VGEO	20 V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	产品类型 IGBT
	最大连续集电极电流 Ic 150A
	最大集电极-发射极电压 Vceo 1.2kV
	最大功耗 Pd 750W
	包装类型 Max247
	安装类型通孔
	槽架类型 N
	引脚数目 3
	开关速度 1MHz
	最低工作温度 -55°C
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.6V
	最大栅极发射极电压 VGEO 20 V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - STGYA75H120DF2

STMicroelectronics IGBT 采用先进的专利场截止型沟槽栅极结构开发方法。该器件属于 H 系列绝缘栅双极晶体管 (IGBT)，可在传导和切换损耗之间实现最佳平衡，从而最大程度地提高高切换频率转换器的效率。此外，VCE(饱和) 温度系数略微偏正且参数分布非常紧密，可让并联操作更安全。

最大接点温度 TJ = 175 °C

短路耐受时间 5 μs

在 = 75 A 时，VCE(饱和) = 2.1 V（典型值）

参数分布紧密

正 VCE(饱和) 温度系数

超快恢复反射并联二极管

STMicroelectronics N沟道IGBT, 3针, Ic 150 A, VCEO 1.2 kV, 1 MHz, Max247

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