Infineon igbt模块, 7个, VCEO 1200 V

RS 库存编号:: 244-5389
制造商零件编号:: FP25R12W2T4B11BOMA1
制造商:: Infineon

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单位	每单位	Per Tray*
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RS 库存编号:: 244-5389
制造商零件编号:: FP25R12W2T4B11BOMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	igbt模块
	最大集电极-发射极电压 Vceo	1200V
	最大功耗 Pd	175W
	晶体管数	7
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	2.25V
	最低工作温度	-40°C
	最大栅极发射极电压 VGEO	20 V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	宽度	42.5mm
	系列	FP25R12W2T4B11B
	长度	51mm
	高度	12mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 igbt模块
	最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V
	最大功耗 Pd 175W
	晶体管数 7
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.25V
	最低工作温度 -40°C
	最大栅极发射极电压 VGEO 20 V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	宽度 42.5mm
	系列 FP25R12W2T4B11B
	长度 51mm
	高度 12mm
	汽车标准否

Datasheet - FP25R12W2T4B11BOMA1

Infineon FP25R12W2T4B11B 系列 IGBT 模块,175W 最大功耗,1200V 最大集电极发射极电压 - FP25R12W2T4B11BOMA1

这款 IGBT 模块是一款高压电源开关设备,专为严苛的工业应用而设计。它将多个晶体管组合在一个封装中,可管理高集电极-发射极电压和显著功耗,同时在宽温度范围内运行。

特性和优点：

• 适用于高压系统的 1200V 集电极-发射极电压
• 可管理 175W 的最大功耗,以实现持久负载
• 工作温度高达 150°C,适用于高温工作循环
• 一个模块中有七个晶体管,可简化电路设计
• 低饱和电压 2.25V,可减少传导损耗
• 栅极发射极额定值为 20V,可适应常见驱动电平

应用

• 适用于需要高压开关的工业电机驱动器
• 适用于可再生能源系统中的电源转换器
• 与大型HVAC安装中的变频器级配合使用
• 可用于牵引辅助电源系统
• 适用于重工业的高温环境

它能承受的环境范围是多少?

它的工作温度范围为 -40°C 至 150°C。

栅极-发射极限对驱动器选择有何影响?

栅极驱动器不得超过 20V 栅极发射极额定值,以避免过度压力。

哪些电气特性可减少传导过程中的能量损耗?

该模块的集电极-发射极饱和电压为 2.25V,可限制传导损耗。

封装中集成了多少开关元件?

该模块在单个外壳中包含七个分立晶体管。

该产品是否适用于环境受限的制造?

它符合RoHS要求,因此符合无铅工艺限制。