Infineon , FP75R12KT4B11BOSA1 igbt模块, 7个, VCEO 1200 V
- RS 库存编号:
- 244-5848
- 制造商零件编号:
- FP75R12KT4B11BOSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 1 | RMB740.21 |
| 2 - 2 | RMB718.01 |
| 3 - 3 | RMB710.90 |
| 4 + | RMB696.68 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-5848
- 制造商零件编号:
- FP75R12KT4B11BOSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | igbt模块 | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1200V | |
| 晶体管数 | 7 | |
| 最大功耗 Pd | 385W | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.15V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 系列 | FP75R12KT4B11B | |
| 宽度 | 62 mm | |
| 长度 | 122mm | |
| 高度 | 17mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 igbt模块 | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V | ||
晶体管数 7 | ||
最大功耗 Pd 385W | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.15V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
系列 FP75R12KT4B11B | ||
宽度 62 mm | ||
长度 122mm | ||
高度 17mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IGBT 模块适用于辅助变频器、 电机驱动、伺服驱动器等。
电气特性
低切换损耗
Tvj op = 150° C
VCEsat 带正温度系数
低 VCEsat
机械特性
高功率和热循环能力
集成NTC温度传感器
铜底板
压装接触技术
标准壳体