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单位 | 每单位 | Per Tray* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | RMB890.339 | RMB8,903.39 |
| 20 - 20 | RMB863.629 | RMB8,636.29 |
| 30 + | RMB855.086 | RMB8,550.86 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-5379
- 制造商零件编号:
- FP100R12KT4BOSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | igbt模块 | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1200V | |
| 最大功耗 Pd | 515W | |
| 晶体管数 | 7 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 系列 | FP100R12KT4 | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 62 mm | |
| 高度 | 17mm | |
| 长度 | 122mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 igbt模块 | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V | ||
最大功耗 Pd 515W | ||
晶体管数 7 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
系列 FP100R12KT4 | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 62 mm | ||
高度 17mm | ||
长度 122mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IGBT 模块最大额定重复 Peak 集电极电流为 200 A ，集电极 - 发射极饱和电压为 2.20 V ，栅极阈值电压为 6.4 V
集电极 - 发射极切断电流 1.0 mA
切换条件下的温度 150° C
栅极 - 发射器泄漏电流 100 nA
反向传输电容 0.27 NF