制造商编号

Infineon N型沟道 IGBT, 共发射极, 6个, Ic 50 A, VCEO 1200 V, 35引脚, EasyPIM, 面板安装

RS 库存编号:: 273-2926
制造商零件编号:: FP50R12W2T7BPSA1
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道 IGBT, 共发射极, 6个, Ic 50 A, VCEO 1200 V, 35引脚, EasyPIM, 面板安装

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RS 库存编号:: 273-2926
制造商零件编号:: FP50R12W2T7BPSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	最大连续集电极电流 Ic	50A
	产品类型	IGBT
	最大集电极-发射极电压 Vceo	1200V
	最大功耗 Pd	20mW
	晶体管数	6
	配置	共发射极
	包装类型	EasyPIM
	安装类型	面板
	槽架类型	N型
	引脚数目	35
	最大栅极发射极电压 VGEO	20 V
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	1.5V
	最低工作温度	-40°C
	最高工作温度	175°C
	长度	107.5mm
	高度	15.5mm
	标准/认证	RoHS, IEC 60747
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	最大连续集电极电流 Ic 50A
	产品类型 IGBT
	最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V
	最大功耗 Pd 20mW
	晶体管数 6
	配置共发射极
	包装类型 EasyPIM
	安装类型面板
	槽架类型 N型
	引脚数目 35
	最大栅极发射极电压 VGEO 20 V
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.5V
	最低工作温度 -40°C
	最高工作温度 175°C
	长度 107.5mm
	高度 15.5mm
	标准/认证 RoHS, IEC 60747
	汽车标准否

Datasheet - FP50R12W2T7BPSA1

Infineon 三相输入整流器 PIM(电源集成模块) IGBT 模块,带 TRENCHSTOP IGBT7、发射器控制 7 二极管和 NTC。

过载操作高达 175°C

高功率密度

紧凑型设计

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