STMicroelectronics N型, N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 55 A, H2PAK-7, 表面安装, 7引脚, SCT025H120G3AG, SCT025H120G3AG系列

查看所有MOSFET
暂时无法供应
抱歉，我们不知道何时会有货
RS 库存编号:
214-951
制造商零件编号:
SCT025H120G3AG
制造商:
STMicroelectronics
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N型, N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

55A

最大漏源电压 Vd

1200V

包装类型

H2PAK-7

系列

SCT025H120G3AG

安装类型

表面

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

27mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

2.7V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

73nC

最大栅源电压 Vgs

22V

最大功耗 Pd

375W

最高工作温度

175°C

宽度

10.4mm

长度

15.25mm

高度

4.8mm

标准/认证

AEC-Q101, RoHS

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
意法半导体碳化硅功率 MOSFET 器件采用意法半导体先进的创新型第三代 SiC MOSFET 技术开发而成。该设备在整个温度范围内具有非常低的 RDS(接通),结合低电容和非常高的切换操作,可在频率、能效、系统尺寸和重量降低方面提高应用性能。

高速开关性能

速度极快、坚固耐用的本征体二极管

相关链接