STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=55 A, 7针, H2PAK-7, SCT025H120G3AG系列

查看所有MOSFET
暂时无法供应
抱歉，我们不知道何时会有货
RS 库存编号:
214-951
制造商零件编号:
SCT025H120G3AG
制造商:
STMicroelectronics
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

55A

最大漏源电压 Vd

1200V

系列

SCT025H120G3AG

包装类型

H2PAK-7

安装类型

表面

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

27mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

2.7V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

73nC

最大功耗 Pd

375W

最大栅源电压 Vgs

22V

最高工作温度

175°C

标准/认证

AEC-Q101, RoHS

长度

15.25mm

宽度

10.4mm

高度

4.8mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics 碳化硅功率 MOSFET 器件采用先进的第三代 SiC MOSFET 创新技术开发而成。该器件在整个温度范围内具有极低的导通电阻，同时兼具低电容与极高开关操作性能，可提升应用系统在频率调节、能效优化及尺寸重量缩减方面的综合表现。

高速开关性能

速度极快、坚固耐用的本征体二极管

相关链接