ROHM 双N沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 2.5 A, SOP-8, 表面安装, 8引脚, SH8KE5TB1, SH8KE5系列
- RS 库存编号:
- 331-693
- 制造商零件编号:
- SH8KE5TB1
- 制造商:
- ROHM
可享批量折扣
小计（1 卷，共 10 件）*
¥34.24
(不含税)
¥38.69
(含税)
有库存
- 30 件将从其他地点发货
- 另外 100 件在 2026年4月02日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB3.424 | RMB34.24 |
| 100 - 240 | RMB3.249 | RMB32.49 |
| 250 - 490 | RMB3.016 | RMB30.16 |
| 500 - 990 | RMB2.773 | RMB27.73 |
| 1000 + | RMB2.675 | RMB26.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 331-693
- 制造商零件编号:
- SH8KE5TB1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | 双N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | SOP-8 | |
| 系列 | SH8KE5 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 200mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 双N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 2.5A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 SOP-8 | ||
系列 SH8KE5 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 200mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 2.9nC | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM 功率 MOSFET 是一种低导通电阻 MOSFET，非常适合开关和电机驱动应用。这款功率 MOSFET 采用小型表面贴装封装。
无铅电镀
符合 RoHS 标准
无卤素
经过 100% Rg 和 UIS 测试