制造商编号

ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=170 A, 3针, TO-263AB, RJ1系列

RS 库存编号:: 264-878
制造商零件编号:: RJ1P10BBHTL1
制造商:: ROHM

ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=170 A, 3针, TO-263AB, RJ1系列

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RS 库存编号:: 264-878
制造商零件编号:: RJ1P10BBHTL1
制造商:: ROHM

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	ROHM
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	170A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	TO-263AB
	系列	RJ1
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	3.0mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	135nC
	最大功耗 Pd	189W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS Compliant
	每片芯片元件数目	1

	选择全部
	品牌 ROHM
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 170A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 TO-263AB
	系列 RJ1
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 3.0mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 135nC
	最大功耗 Pd 189W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS Compliant
	每片芯片元件数目 1

Datasheet - RJ1P10BBHTL1

ROHM Nch 100V 170A TO-263AB 功率 MOSFET 采用低导通电阻和高功率小型模具封装，适用于开关。

低导通电阻

大功率小型模具封装（TO263AB）

无铅电镀，符合 RoHS 规范

100% 通过 UIS 测试

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