ROHM , 1 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 80 A, TO-263AB, 3引脚, RJ1系列, RJ1P04BBHTL1
- RS 库存编号:
- 264-883
- 制造商零件编号:
- RJ1P04BBHTL1
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB15.80 | RMB79.00 |
| 50 - 95 | RMB15.002 | RMB75.01 |
| 100 - 495 | RMB13.912 | RMB69.56 |
| 500 - 995 | RMB12.802 | RMB64.01 |
| 1000 + | RMB12.316 | RMB61.58 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 264-883
- 制造商零件编号:
- RJ1P04BBHTL1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 80A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | RJ1 | |
| 包装类型 | TO-263AB | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 8.8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 89W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 38.0nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 80A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 RJ1 | ||
包装类型 TO-263AB | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 8.8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 89W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 38.0nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
ROHM Nch 100V 80A TO-263AB 功率 MOSFET 采用低导通电阻和高功率小型模具封装，适用于开关。
低导通电阻
大功率小型模具封装（TO263AB）
无铅电镀，符合 RoHS 规范
100% 通过 UIS 测试