Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=-32 A, 8针, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor系列

RS 库存编号:: 285-055
制造商零件编号:: ISC750P10LMATMA1
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=-32 A, 8针, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor系列

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单位	每单位	每包*
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50 - 95	RMB21.66	RMB108.30
100 - 495	RMB20.06	RMB100.30
500 - 995	RMB18.46	RMB92.30
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RS 库存编号:: 285-055
制造商零件编号:: ISC750P10LMATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	P型
	最大连续漏极电流 Id	-32A
	最大漏源电压 Vd	100V
	系列	OptiMOS Power Transistor
	包装类型	PG-TDSON-8
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	75mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	188W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS Compliant
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 P型
	最大连续漏极电流 Id -32A
	最大漏源电压 Vd 100V
	系列 OptiMOS Power Transistor
	包装类型 PG-TDSON-8
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 75mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 188W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS Compliant
	汽车标准否

Datasheet - ISC750P10LMATMA1

英飞凌 MOSFET 是一种先进的功率 MOSFET，专为实现工业应用中的最佳效率和多功能性而设计。它采用坚固耐用的 P 沟道配置，具有极低的导通电阻，并能处理高漏极电流，因此适用于一系列要求苛刻的电子电路。逻辑电平栅极驱动的加入意味着它可以在低压系统中无缝运行。这款功率晶体管具有出色的散热性能和可靠的雪崩额定值，非常适合需要在持续应变下保持耐用性和可靠性的应用。该产品符合 RoHS 规范并采用无卤素镀铅工艺，进一步提高了其在环保设计方面的适用性，让制造商在激烈的市场竞争中高枕无忧。

用于电源管理的出色开关性能

100% 经过雪崩测试，可靠性高

热阻低，散热效果好

逻辑电平驱动，方便微控制器接口

无铅电镀符合环保要求

温度范围广，性能稳定

针对高速应用进行了优化

支持高额定脉冲电流

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=-32 A, 8针, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor系列

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