ROHM 双N沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 6.5 A, HSOP-8, 表面安装, 8引脚, HT8KE5HTB1, HT8KE5H系列

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RS 库存编号:
331-687
制造商零件编号:
HT8KE5HTB1
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

双N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

6.5A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

HT8KE5H

包装类型

HSOP-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

210mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

3.7nC

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

13W

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

ROHM 功率 MOSFET 是一种低导通电阻 MOSFET，非常适合开关和电机驱动应用。这款功率 MOSFET 采用大功率小型模具封装。

无铅电镀

符合 RoHS 标准

无卤素

经过 100% Rg 和 UIS 测试

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