Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=18 A, 3针, PG-TO252-3, OptiMOS系列

RS 库存编号:: 348-988
制造商零件编号:: IPD60R180CM8XTMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=18 A, 3针, PG-TO252-3, OptiMOS系列

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100 - 495	RMB18.306	RMB91.53
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RS 库存编号:: 348-988
制造商零件编号:: IPD60R180CM8XTMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	18A
	最大漏源电压 Vd	600V
	包装类型	PG-TO252-3
	系列	OptiMOS
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.18Ω
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	127W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	17nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 18A
	最大漏源电压 Vd 600V
	包装类型 PG-TO252-3
	系列 OptiMOS
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.18Ω
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 127W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 17nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IPD60R180CM8XTMA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon OptiMOS 系列 MOSFET，600V 漏源电压，18A 连续漏极电流 - IPD60R180CM8XTMA1

该 MOSFET 是一款高压 N 通道晶体管，专为表面安装组件中的开关和功率转换而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于苛刻的电子环境，旨在用于需要稳健电压处理和紧凑安装的场合。

特性和优点：

• 600V 漏源额定值支持高压开关应用
• 18A 连续漏极电流支持大负载电流
• 0.18 Ω 低导通电阻可减少电源电路中的传导损耗
• 127W 最大耗散，可实现更高的功率吞吐量
• 20V 栅极阈值支持标准栅极驱动电压
• 17 nC 典型栅极电荷，可实现快速切换，驱动能耗可控

应用

• 适用于高压电源和转换器
• 适用于工业电机驱动开关级
• 与能源管理系统中的 DC-DC 转换器配合使用
• 可用于可再生装置中的变频器前端
• 适用于紧凑型表面安装电源模块

用于高效 PCB 安装的封装类型是什么？

它采用 TO-252 型表面安装封装，配有三个引脚，可简化电路板组装。

它如何应对极端环境条件？

该设备的额定工作温度范围为 -55 °C 至 150 °C，可适应散热受限设计中的高结温。

开关性能应考虑哪些栅极驱动因素？

驱动电路在调整驱动电流和转换时间时，应提供高达 20V 的栅源摆幅，并考虑 17 nC 栅极电荷。

该设备是否适用于汽车认证系统？

它不符合汽车标准，在认证车辆系统中使用之前，应根据汽车法规要求进行评估。