Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=288 A, 22针, PG-HDSOP-22, IPD系列

RS 库存编号:: 348-993
制造商零件编号:: IPDQ60R007CM8XTMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=288 A, 22针, PG-HDSOP-22, IPD系列

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RS 库存编号:: 348-993
制造商零件编号:: IPDQ60R007CM8XTMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	288A
	最大漏源电压 Vd	600V
	包装类型	PG-HDSOP-22
	系列	IPD
	安装类型	表面
	引脚数目	22
	最大漏源电阻 Rd	7mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	37nC
	最大栅源电压 Vgs	30V
	最大功耗 Pd	1249W
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 288A
	最大漏源电压 Vd 600V
	包装类型 PG-HDSOP-22
	系列 IPD
	安装类型表面
	引脚数目 22
	最大漏源电阻 Rd 7mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 37nC
	最大栅源电压 Vgs 30V
	最大功耗 Pd 1249W
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS

Datasheet - IPDQ60R007CM8XTMA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon IPD 系列 MOSFET, 600V 漏源电压，288A 连续漏极电流 - IPDQ60R007CM8XTMA1

该 MOSFET 是一款功率开关晶体管，专为表面安装电子领域的高电压、高电流应用而设计。它可在宽温度范围内运行，适用于苛刻电气系统中需要快速开关和大连续电流处理的应用场景。

特性和优点：

• 600V 漏极电压可实现高压系统兼容性
• 导通电阻低至 7 mΩ，可降低传导损耗
• 288A 连续电流支持高电流负载
• 1249W 功耗，支持持续的热处理
• 37 nC 典型栅极电荷，可实现更快的开关转换
• 30V 栅极容差可防止栅极过度驱动

应用

• 用于工业设备的电源
• 适用于牵引系统中的电机驱动级
• 适用于可再生装置中的高电流转换器
• 可用于电信机架中的 DC-DC 转换
• 用于汽车子系统中的高温电子设备

在 PCB 布局中，设计人员应预期采用哪种封装类型？

它采用 22 引脚 PG-HDSOP-22 表面安装封装，适用于紧凑型电路板布局和散热焊盘布置。

该设备在高温环境下的性能如何？

该组件可在高达 150 °C 的温度下工作，在适当的热管理条件下，可用于高温环境。

在开关应用中需要考虑哪些栅极驱动因素？

栅极驱动必须在 ±30V 范围内，在调节驱动器以达到所需的开关速度时，应考虑 37 nC 的典型栅极电荷。

该设备是否适用于低温应用？

该部件的额定温度低至 -55 °C，可在冷气候系统中部署，并确保电气性能。