Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=600 V, 126 A, HDSOP, 表面安装, IPDQ60R065S7XTMA1, IPD系列
- RS 库存编号:
- 260-1204
- 制造商零件编号:
- IPDQ60R065S7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥32.91
(不含税)
¥37.19
(含税)
有库存
- 另外 748 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB32.91 |
| 10 - 99 | RMB29.61 |
| 100 - 249 | RMB26.66 |
| 250 - 499 | RMB23.99 |
| 500 + | RMB23.51 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 260-1204
- 制造商零件编号:
- IPDQ60R065S7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 126A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | IPD | |
| 包装类型 | HDSOP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 65mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 195W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 51nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 正向电压 Vf | 0.82V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 15.5mm | |
| 高度 | 2.35mm | |
| 宽度 | 15.1 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 126A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 IPD | ||
包装类型 HDSOP | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 65mΩ | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 195W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 51nC | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
正向电压 Vf 0.82V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 15.5mm | ||
高度 2.35mm | ||
宽度 15.1 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon MOSFET 为低频切换应用提供最佳价格性能。CoolMOS S7 拥有 HV SJ MOSFET 的最低 Rdson 值,能效显著提高。CoolMOS S7 经优化用于“静态切换”和高电流应用。它特别适用于固态继电器和断路器设计,以及用于 SMPS 和变频器拓扑中的线路整流。
高脉冲电流能力
提高系统性能
更紧凑、更简单的设计
延长使用寿命时,可降低 BOM 和/或 TCO
抗冲击和抗振性