Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=135 A, 3针, PG-TO220-3, IPP系列

RS 库存编号:: 349-000
制造商零件编号:: IPP60R016CM8XKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=135 A, 3针, PG-TO220-3, IPP系列

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制造商零件编号:: IPP60R016CM8XKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	135A
	最大漏源电压 Vd	600V
	系列	IPP
	包装类型	PG-TO220-3
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	16mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	625W
	正向电压 Vf	0.9V
	最大栅源电压 Vgs	30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	171nC
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	JEDEC, RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 135A
	最大漏源电压 Vd 600V
	系列 IPP
	包装类型 PG-TO220-3
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 16mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 625W
	正向电压 Vf 0.9V
	最大栅源电压 Vgs 30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 171nC
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 JEDEC, RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IPP60R016CM8XKSA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon IPP系列MOSFET，600V漏源电压，135A连续漏极电流 - IPP60R016CM8XKSA1

该MOSFET是一款高压N沟道晶体管，专为高要求电子系统中的电源开关和控制而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于恶劣环境，并采用通孔 TO-220 封装，便于散热和板安装。该器件符合标准半导体认证，适用于需要大电流处理和热耐受性的应用。

特性和优点：

• 600V额定值，适用于高压开关应用
• 135A 连续漏极电流支持大负载电流
• 最大导通电阻16mΩ，可降低负载下的导通损耗
• 625W 最大功耗，可实现更高的热负载
• 171nC 典型栅极电荷，有助于可预测的开关特性
• Vgs±30V容差支持稳健的栅极驱动裕量

应用

• 适用于市电级电源转换器和反相器
• 适用于工业电机驱动开关级应用
• 与高电流DC-DC转换模块配套使用
• 可用于电子负载和功率测试设备
• 适用于电信基础设施的电源

它在运行时能承受哪些极端环境条件？

它的额定连续工作温度范围为-55°C至175°C，可在冷启动和高温环境中使用。

提供多少个引脚？采用哪种安装方式？

该器件采用三引脚配置，设计用于标准TO-220封装的穿孔安装。

在开关应用中需要考虑哪些栅极驱动因素？

栅极电压应保持在 ±30V 范围内以保护栅极

在调整驱动器以满足所需的切换速度时，应考虑 171nC 的典型栅极电荷。

哪些认证表明组件选择符合标准？

它拥有JEDEC认可的资质，并符合RoHS材料和制造标准。