Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=70 A, 3针, PG-TO220-3, IPP系列

RS 库存编号:: 349-001
制造商零件编号:: IPP60R037CM8XKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=70 A, 3针, PG-TO220-3, IPP系列

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RS 库存编号:: 349-001
制造商零件编号:: IPP60R037CM8XKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	70A
	最大漏源电压 Vd	600V
	包装类型	PG-TO220-3
	系列	IPP
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	37mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	79nC
	正向电压 Vf	0.9V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	390W
	最大栅源电压 Vgs	30V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	JEDEC

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 70A
	最大漏源电压 Vd 600V
	包装类型 PG-TO220-3
	系列 IPP
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 37mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 79nC
	正向电压 Vf 0.9V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 390W
	最大栅源电压 Vgs 30V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 JEDEC

Datasheet - IPP60R037CM8XKSA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon IPP系列MOSFET，600V漏源电压，70A连续漏极电流 - IPP60R037CM8XKSA1

该MOSFET是一款高压N沟道开关晶体管，专为严苛的电源转换环境而设计。它可在宽温度范围内工作，并采用通孔 PG-TO220-3 封装，适用于需要热管理和可靠开关的稳健板载应用。

特性和优点：

• 600V 额定漏电压，适用于高压开关
• 70A 连续漏极电流，适用于大电流处理
• 37mΩ 低导通电阻，可减少导通损耗
• 功耗为390W，适用于持续功率应用
• 79nC栅极电荷，有助于实现可预测的开关特性

应用

• 适用于电源和转换器级应用
• 适用于工业电机驱动电路
• 与高压变频器组件配合使用
• 可用于高电流开关模式电源

为了保护设备，我必须遵守哪些栅极电压限制？

栅源额定电压最高可达30V

设计应包含栅极驱动和保护电路，将 Vgs 保持在此限值以内以防止损坏。

该设备在操作过程中如何应对极端外部环境温度？

它的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，在合理的热设计下，既可用于冷启动环境，也可用于高温机柜。

哪些封装和安装方面的考虑会影响热性能？

PG-TO220-3 直插式封装便于直接安装散热片并进行通孔焊接，从而实现高效的热传导和机械稳定性。

该器件在沟道导通模式下的表现如何？

它是一款增强型N沟道器件，需要相对于源极施加正向栅极驱动电压才能导通。