Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=2000 V, 195 A, 螺钉接线端子安装, FF5MR20KM1HHPSA1
- RS 库存编号:
- 349-317
- 制造商零件编号:
- FF5MR20KM1HHPSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 349-317
- 制造商零件编号:
- FF5MR20KM1HHPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 195A | |
| 最大漏源电压 Vd | 2000V | |
| 安装类型 | 螺钉接线端子 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 15.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 正向电压 Vf | 6.15V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 195A | ||
最大漏源电压 Vd 2000V | ||
安装类型 螺钉接线端子 | ||
最大漏源电阻 Rd 15.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
正向电压 Vf 6.15V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- HU
Infineon 62mm CoolSiC MOSFET 半桥模块 2000V、5.2mΩ G1 采用著名的 62mm 外壳设计并搭载 M1H 芯片技术。还可提供预涂热界面材料。
高电流密度
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高速开关模块
对称模块设计