制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=41 A, 7针, PG-TO263-7, CoolSiC系列

RS 库存编号:: 349-328
制造商零件编号:: IMBG65R050M2HXTMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=41 A, 7针, PG-TO263-7, CoolSiC系列

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单位	每单位
1 - 9	RMB50.28
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500 - 999	RMB38.68
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RS 库存编号:: 349-328
制造商零件编号:: IMBG65R050M2HXTMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	41A
	最大漏源电压 Vd	650V
	包装类型	PG-TO263-7
	系列	CoolSiC
	安装类型	表面
	引脚数目	7
	最大漏源电阻 Rd	62mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	23V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	22nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	172W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 41A
	最大漏源电压 Vd 650V
	包装类型 PG-TO263-7
	系列 CoolSiC
	安装类型表面
	引脚数目 7
	最大漏源电阻 Rd 62mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 23V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 172W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IMBG65R050M2HXTMA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon 650V CoolSiC MOSFET G2 采用 Infineon 强大的第 2 代碳化硅沟槽技术，可提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。这款 MOSFET 支持具有成本效益、高效率且简化的设计，可满足现代电力系统和市场不断增长的需求。它适用于需要高效率和强大性能的应用，可为各种电力电子设备提供可靠的解决方案。

开关损耗超低

即使关断栅极电压为 0V，也能稳健抵抗寄生导通

驱动电压灵活，兼容双极驱动方案

体二极管在硬换向事件下运行稳健

.XT 互连技术，可实现卓越的热性能

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=41 A, 7针, PG-TO263-7, CoolSiC系列

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