制造商编号

Infineon N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=650 V, Id=28 A, 7针, PG-TO263-7, CoolSiC系列

RS 库存编号:: 762-918
制造商零件编号:: IMBG65R075M2HXTMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=650 V, Id=28 A, 7针, PG-TO263-7, CoolSiC系列

查看所有MOSFET

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 件）*

RMB41.68

(不含税)

RMB47.10

(含税)

暂时缺货

在 2027年9月27日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位
1 - 9	RMB41.68
10 - 49	RMB33.78
50 - 99	RMB25.89
100 +	RMB24.60

* 参考价格

RS 库存编号:: 762-918
制造商零件编号:: IMBG65R075M2HXTMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	28A
	最大漏源电压 Vd	650V
	包装类型	PG-TO263-7
	系列	CoolSiC
	安装类型	通孔
	引脚数目	7
	最大漏源电阻 Rd	95mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	32nC
	最大功耗 Pd	124W
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	25V
	最高工作温度	175°C
	宽度	10.2mm
	标准/认证	RoHS
	高度	4.5mm
	长度	15mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 28A
	最大漏源电压 Vd 650V
	包装类型 PG-TO263-7
	系列 CoolSiC
	安装类型通孔
	引脚数目 7
	最大漏源电阻 Rd 95mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 32nC
	最大功耗 Pd 124W
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 25V
	最高工作温度 175°C
	宽度 10.2mm
	标准/认证 RoHS
	高度 4.5mm
	长度 15mm
	汽车标准否

Datasheet - IMBG65R075M2HXTMA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon CoolSiC MOSFET提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。它可实现成本效益高、效率高、简化的设计,以满足不断增长的系统和市场需求。

开关损耗极低

增强系统稳健性和可靠性

便于使用和集成

减少系统的尺寸、重量和材料成本

相关链接