Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 39 A, PG-TO263-3, 表面安装, 3引脚, IPB339N20NM6ATMA1, OptiMOS-TM6系列
- RS 库存编号:
- 349-401
- 制造商零件编号:
- IPB339N20NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 349-401
- 制造商零件编号:
- IPB339N20NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 39A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | PG-TO263-3 | |
| 系列 | OptiMOS-TM6 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 33.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15.9nC | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 39A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 PG-TO263-3 | ||
系列 OptiMOS-TM6 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 33.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15.9nC | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS 6 功率晶体管，200V 是一款 N 通道、正常电平 MOSFET，设计用于高效率电源应用。它具有极低的导通电阻 (RDS(on))，可确保最低的传导损耗。它具有出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积 (FOM)，可提供卓越的开关性能。这款 MOSFET 还具有极低的反向恢复电荷 (Qrr)，可提高整体效率。
无铅镀铅
符合 RoHS 标准
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
根据 J-STD-020，等级为 MSL 1