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Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=7.2 A, 8针, PG-TSON-8, IGLR65系列

Name: Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=7.2 A, 8针, PG-TSON-8, IGLR65系列
Brand: Infineon
SKU: 351-874
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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	7.2A
	最大漏源电压 Vd	650V
	包装类型	PG-TSON-8
	系列	IGLR65
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.33Ω
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	28W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	1nC
	最大栅源电压 Vgs	10V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	JEDEC for Industrial Applications
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 7.2A
	最大漏源电压 Vd 650V
	包装类型 PG-TSON-8
	系列 IGLR65
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.33Ω
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 28W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1nC
	最大栅源电压 Vgs 10V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 JEDEC for Industrial Applications
	汽车标准否

Infineon GaN 功率晶体管可提高高频运行效率。作为 CoolGaN 650V G5 系列的成员，它符合高品质标准，可实现高度可靠的设计和卓越的效率。它采用底部冷却 ThinPAK 封装，非常适合外形纤薄的消费类应用。

650V 电子模式功率晶体管

超快开关

无反向恢复电荷

能够反向传导

低栅极电荷和低输出电荷

卓越的换向稳健性

低动态 RDS(on)

高 ESD 稳健性：2kV HBM - 1kV CDM

底部冷却封装

通过 JEDEC 认证（JESD47、JESD22）

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