Infineon N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=650 V, 30 A, PG-TSON-8, 表面安装, 8引脚, IGL65R110D2XUMA1, CoolGaN G5系列
- RS 库存编号:
- 690-444
- 制造商零件编号:
- IGL65R110D2XUMA1
- 制造商:
- Infineon
N
此图片代表整个产品系列，仅供参考。
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
¥47.18
(不含税)
¥53.32
(含税)
有库存
- 3,000 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB23.59 | RMB47.18 |
| 20 - 98 | RMB19.13 | RMB38.26 |
| 100 - 198 | RMB14.615 | RMB29.23 |
| 200 + | RMB14.175 | RMB28.35 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 690-444
- 制造商零件编号:
- IGL65R110D2XUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | PG-TSON-8 | |
| 系列 | CoolGaN G5 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 110mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 2.4nC | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 宽度 | 8 mm | |
| 长度 | 8mm | |
| 标准/认证 | RoHS, ISO 128-30 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 PG-TSON-8 | ||
系列 CoolGaN G5 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 110mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 2.4nC | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.1mm | ||
宽度 8 mm | ||
长度 8mm | ||
标准/认证 RoHS, ISO 128-30 | ||
汽车标准 否 | ||