Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=76 A, 6针, PG-VSON-6, IGC033系列

RS 库存编号:: 351-971
制造商零件编号:: IGC033S10S1XTMA1
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=76 A, 6针, PG-VSON-6, IGC033系列

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RS 库存编号:: 351-971
制造商零件编号:: IGC033S10S1XTMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	76A
	最大漏源电压 Vd	100V
	系列	IGC033
	包装类型	PG-VSON-6
	安装类型	表面
	引脚数目	6
	最大漏源电阻 Rd	3.3mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	11nC
	最低工作温度	-40°C
	最大栅源电压 Vgs	5.5V
	最大功耗 Pd	45W
	最高工作温度	150°C
	宽度	3.1mm
	标准/认证	JEDEC
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 76A
	最大漏源电压 Vd 100V
	系列 IGC033
	包装类型 PG-VSON-6
	安装类型表面
	引脚数目 6
	最大漏源电阻 Rd 3.3mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11nC
	最低工作温度 -40°C
	最大栅源电压 Vgs 5.5V
	最大功耗 Pd 45W
	最高工作温度 150°C
	宽度 3.1mm
	标准/认证 JEDEC
	汽车标准否

Datasheet - IGC033S10S1XTMA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon IGC033系列MOSFET，100V漏源电压，76A连续漏极电流 - IGC033S10S1XTMA1

该MOSFET是一款P沟道增强型器件，专为表面贴装电子设备的大电流开关而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于严苛的热环境，同时能为电源管理和转换任务提供低阻导电性能。

特性和优点：

• 3.3mΩ 漏源电阻，可将传导损耗降至最低
• 76A 持续漏极电流，支持重载开关
• 100V 漏源额定电压，适用于高压应用
• 典型栅极电荷为11nC，可实现更快的开关转换
• 45W 最大功耗，支持高负载
• 5.5V最大栅源耐受电压，兼容低压驱动

应用

• 适用于电源的同步降压转换器
• 适用于需要大电流的电机驱动级应用
• 用于工业系统的高压负载切换
• 可用于服务器和电信配电
• 适用于紧凑型表面贴装电源模块

我应该在电路板上规划哪种封装类型？

该器件采用 PG-VSON-6 表面贴装封装，需要六针布局，并需考虑散热焊盘以进行散热。

温度范围对部署选择有何影响？

该器件的工作温度范围为 -40°C 至 150°C，可在温度波动剧烈的环境中使用；不过，在进行布局设计时，必须确保具备足够的导热性能，以将其工作状态保持在散热限值范围内。

在开关操作中，什么样的栅极驱动电平是可以接受的？

栅极与源极之间的驱动电压不得超过5.5V

鉴于栅极电荷量适中，采用常规的低压栅极驱动电路是合适的。

电源功耗管理方面是否有特定的注意事项？

在达到 45W 最大功率时，PCB 上需要有足够的铜箔面积或散热措施，并需考虑占空比，以防止结温过高。