Infineon P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=100 V, 76 A, PG-VSON-6, 表面安装, 6引脚, IGC033S101, CoolGaN系列
- RS 库存编号:
- 559-213
- 制造商零件编号:
- IGC033S101
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB21.64 |
| 10 - 24 | RMB18.17 |
| 25 - 99 | RMB11.05 |
| 100 - 499 | RMB10.77 |
| 500 + | RMB10.58 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 559-213
- 制造商零件编号:
- IGC033S101
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 76A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | PG-VSON-6 | |
| 系列 | CoolGaN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 6.5 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 11nC | |
| 最大功耗 Pd | 45W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 3.1 mm | |
| 长度 | 5.1mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 标准/认证 | JESD22, JEDEC JESD47, J-STD-020 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 76A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 PG-VSON-6 | ||
系列 CoolGaN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 6.5 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11nC | ||
最大功耗 Pd 45W | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 3.1 mm | ||
长度 5.1mm | ||
高度 1mm | ||
标准/认证 JESD22, JEDEC JESD47, J-STD-020 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolGaN晶体管100V G3具有超快的开关速度和高效率。它采用节省空间、高度坚固的封装，无反向恢复电荷。此外，它还具有超低栅极电荷和输出电荷，可实现卓越性能。
超低栅极电荷、低输出电荷
湿度等级MSL1
工业级3x5包装