STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=545 A, 8针, TO-LL, STripFET F7系列
- RS 库存编号:
- 558-985
- 制造商零件编号:
- STO450N6F7
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计（1 卷，共 1800 件）*
RMB58,159.80
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1800 + | RMB32.311 | RMB58,159.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 558-985
- 制造商零件编号:
- STO450N6F7
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 545A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | STripFET F7 | |
| 包装类型 | TO-LL | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 晶体管配置 | N-通道 | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.58mm | |
| 宽度 | 10.1mm | |
| 标准/认证 | ECOPACK | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 545A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 STripFET F7 | ||
包装类型 TO-LL | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
晶体管配置 N-通道 | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.58mm | ||
宽度 10.1mm | ||
标准/认证 ECOPACK | ||
高度 2.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体的 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F7 技术，具有增强型沟槽栅极结构，导通电阻极低，同时还能降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关。
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