Vishay N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=80 V, 63 A, PowerPAK, 表面安装, 8引脚, SISS32LDN系列
- RS 库存编号:
- 653-104
- 制造商零件编号:
- SISS32LDN-T1-BE3
- 制造商:
- Vishay
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- RS 库存编号:
- 653-104
- 制造商零件编号:
- SISS32LDN-T1-BE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 63A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | SISS32LDN | |
| 包装类型 | PowerPAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0072Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最大功耗 Pd | 65.7W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 17.7nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 3.3mm | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 63A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 SISS32LDN | ||
包装类型 PowerPAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0072Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最大功耗 Pd 65.7W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 17.7nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 3.3mm | ||
高度 0.75mm | ||
长度 3.3mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
Vishay SISS32LDN 系列单 MOSFET,80 V 最大漏源电压,63 A 最大连续漏电流 - SISS32LDN-T1-BE3
此单 MOSFET 器件是一款高电流 N 通道晶体管,专为工业电子产品中的表面贴装电源开关而设计。它作为增强模式 MOSFET 运行,适用于需要高排放源电压和强大的电流处理的驱动和开关应用。该组件采用紧凑型 PowerPAK 封装,专为 SMD 组装而设计,符合 RoHS 要求。
特性和优点：
• 80V 漏源额定值可实现高电压切换能力 • 63 A 连续排放电流支持重负载传导 • 低 RDS(on) 0.0072Ω,可最大程度减少负载下的传导损耗 • 65.7W 功耗可实现持久的热吞吐量 • 17.7nC 典型栅极电荷提供受控开关能量 • 最高工作温度为150°C,可在高温下运行
应用
• 适用于自动化系统中的电机驱动半桥级 • 适用于配电模块中的直流-直流转换器 • 用于工业控制设备的负载切换 • 可用于电池管理和高电流分配
设计人员应遵守哪些栅极电压限制?
栅极到源极电压不得超过 ±20V,以防止栅极介电应力。
印刷电路板布局时有哪些热因素?
鉴于65.7W的耗散额定值,设计人员应为散热提供足够的铜面积和热通道,并在需要时连接到散热平面。
开关行为对电磁辐射有何影响?
17.7nC 栅极电荷影响上升和下降时间
控制栅极驱动转换速率并添加缓冲器,有助于管理开关瞬变和电磁干扰。
该设备在操作过程中可承受哪些极端环境?
它设计用于低至-55°C和高达150°C的接点温度,具有广泛的环境范围兼容性。