Vishay N沟道增强型单 MOSFET, Vds=60 V, Id=150 A, 3针, PowerPAK, SUM50010EL系列
- RS 库存编号:
- 653-150
- 制造商零件编号:
- SUM50010EL-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 制造商零件编号:
- SUM50010EL-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 150A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | PowerPAK | |
| 系列 | SUM50010EL | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.00173Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 192nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 150A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 PowerPAK | ||
系列 SUM50010EL | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.00173Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 192nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay TrenchFET Gen IV N 通道功率 MOSFET 额定电压为 60 V 排放源。它具有非常低的门排放负载 (Qgd),可最大程度地减少开关期间的功率损耗,并支持高达 150 A 的高电流处理。包装在 D2PAK 中,它特别适用于直流/直流转换器、电动机驱动器、电池管理和电源中的次级同步整流2。
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
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