Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 150 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SUM60061EL-GE3, TrenchFET系列

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包装方式:
RS 库存编号:
228-2983
制造商零件编号:
SUM60061EL-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

150A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

TO-263

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

6.1mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

145nC

最大功耗 Pd

375W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

-0.8V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

汽车标准

Vishay P 通道 80 V (D-S) MOSFET。

经过 100 % Rg 和 UIS 测试