Vishay P型沟道增强型单 MOSFET, Vds=60 V, Id=-2.8 A, 3针, SOT-23, SQ2361CEES系列

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Vishay P型沟道增强型单 MOSFET, Vds=60 V, Id=-2.8 A, 3针, SOT-23, SQ2361CEES系列
RS 库存编号
653-155

1 带 1 套

RMB2.59

(不含税)

RMB2.93

(含税)

RS 库存编号:
653-154
制造商零件编号:
SQ2361CEES-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

单 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

-2.8A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SOT-23

系列

SQ2361CEES

安装类型

PCB

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.17Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

-1.2V

最大功耗 Pd

2W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

15nC

最高工作温度

175°C

长度

3.04mm

宽度

2.64mm

标准/认证

AEC-Q101

汽车标准

AEC-Q101

Vishay 汽车级 P 通道 MOSFET 设计用于紧凑型低电压开关应用。它支持高达 60 V 的排水源电压,在高达 175 °C 的接线温度下可靠工作,使其适用于恶劣的汽车环境。采用 SOT-23 格式封装,它利用 Vishay 的 TrenchFET 技术在空间受限的设计中提供低 RDS(接通)和高效的热性能。

符合 AEC Q101 标准

无铅

无卤素

符合 RoHS 标准

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