Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 2.8 A, SOT-23, PCB安装, 3引脚, SQ2361CEES系列
- RS 库存编号:
- 653-155
- 制造商零件编号:
- SQ2361CEES-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 653-155
- 制造商零件编号:
- SQ2361CEES-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 2.8 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | SQ2361CEES | |
| 安装类型 | PCB | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 2.8 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
系列 SQ2361CEES | ||
安装类型 PCB | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Vishay 汽车级 P 通道 MOSFET 设计用于紧凑型低电压开关应用。它支持高达 60 V 的排水源电压,在高达 175 °C 的接线温度下可靠工作,使其适用于恶劣的汽车环境。采用 SOT-23 格式封装,它利用 Vishay 的 TrenchFET 技术在空间受限的设计中提供低 RDS(接通)和高效的热性能。
符合 AEC Q101 标准
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准