Vishay P型沟道增强型功率MOSFET, Vds=60 V, Id=2.8 A, 3针, SOT-23, SQ系列
- RS 库存编号:
- 146-4445
- 制造商零件编号:
- SQ2361ES-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
暂时无法供应
我们不知道此物品是否会再来货，RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 146-4445
- 制造商零件编号:
- SQ2361ES-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | SQ | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.177Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 12nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 2.8A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 SQ | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.177Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 1.02mm | ||
长度 3.04mm | ||
宽度 1.4mm | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
TrenchFET® 功率 MOSFET
材料分类
相关链接
- Vishay P型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=60 V, 2.8 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SQ2361ES-T1_GE3, SQ系列
- Vishay P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=60 V, -2.8 A, SOT-23, PCB安装, 3引脚, SQ2361CEES-T1_GE3, SQ2361CEES系列
- Vishay P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=60 V, -2.8 A, SOT-23, PCB安装, 3引脚, SQ2361CES-T1_GE3, SQ2361CES系列
- Vishay P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=60 V, -2.8 A, SOT-23, PCB安装, 3引脚, SQ2361CEES系列
- Vishay P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=60 V, -2.8 A, SOT-23, PCB安装, 3引脚, SQ2361CES系列
- Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 2.2 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SQ2301ES-T1-GE3, SQ Rugged系列
- Vishay P型沟道 增强型 TrenchFET 功率 MOSFET, Vds=60 V, 1.7 A, TO-236, 表面安装, 3引脚, SQ2309ES-T1_GE3, TrenchFET系列
- Vishay N沟道 增强型 TrenchFET 功率 MOSFET, Vds=20 V, 6 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SQ2310ES-T1_BE3, SQ Rugged系列