ROHM N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=60 V, TO-252 (TL), 表面安装, 3引脚, RD3L08DBKHRBTL, RD3L08DBKHRB系列
- RS 库存编号:
- 687-465
- 制造商零件编号:
- RD3L08DBKHRBTL
- 制造商:
- ROHM
此图片代表整个产品系列，仅供参考。
可享批量折扣
小计（1 卷，共 2 件）*
¥15.99
(不含税)
¥18.068
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年7月17日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB7.995 | RMB15.99 |
| 20 - 48 | RMB7.065 | RMB14.13 |
| 50 - 198 | RMB6.33 | RMB12.66 |
| 200 - 998 | RMB6.14 | RMB12.28 |
| 1000 + | RMB5.955 | RMB11.91 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-465
- 制造商零件编号:
- RD3L08DBKHRBTL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | RD3L08DBKHRB | |
| 包装类型 | TO-252 (TL) | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 22nC | |
| 最大功耗 Pd | 76W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 宽度 | 6.8 mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101, RoHS | |
| 长度 | 10.50mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 RD3L08DBKHRB | ||
包装类型 TO-252 (TL) | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22nC | ||
最大功耗 Pd 76W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 2.3mm | ||
宽度 6.8 mm | ||
标准/认证 AEC-Q101, RoHS | ||
长度 10.50mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM 功率 MOSFET 专为在严苛应用中实现高性能而设计,具有可靠的开关功能,低导通电阻和强大的击穿电压。该组件设计用于处理高达 80A 的连续漏电流,最大漏源电压为 60V,可确保效率和耐用性。它是汽车电子、照明和其他电源管理系统的理想之选,采用无铅电镀,并通过了 AEC-Q101 认证,符合最新行业标准。这款 MOSFET 集卓越的热性能和可靠性于一体,是寻求优化电路设计的工程师的合适选择。
7.5mΩ 的低导通电阻可最大限度提高功率效率
AEC Q101 认证可确保在汽车应用中实现高可靠性
通过 100% 雪崩测试,更加耐用
可处理高达 80A 的连续漏电流
最大排放源电压额定值为 60V,可提供大量电源
无铅电镀符合 RoHS 标准,可促进环境责任
包装方式多样,可确保与各种应用设计兼容
特别适用于 ADAS、信息系统和车身控制应用
具有低栅极电荷特性,可加快开关时间