Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=30 A, 8针, SO-8L, TrenchFET系列

可享批量折扣
查看批量定价选项

小计(1 卷,共 1 件)*

RMB8.29

(不含税)

RMB9.37

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
最后的 RS 库存
  • 最终 3,000 个,准备发货

Tape(s)
Per Tape
1 - 24RMB8.29
25 - 99RMB5.45
100 - 499RMB5.29
500 +RMB5.18

* 参考价格

RS 库存编号:
736-654
制造商零件编号:
SQJ420EP-T1_JE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

30A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

TrenchFET

包装类型

SO-8L

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0204Ω

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

18.5nC

最大功耗 Pd

45W

最高工作温度

175°C

宽度

6.15mm

标准/认证

RoHS

长度

5.13mm

高度

1.07mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
US

相关链接