ROHM P-通道沟道 MOSFET, Vds=5 V, 40 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, AG508EGD3HRBTL

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780-654
制造商零件编号:
AG508EGD3HRBTL
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

MOSFET

槽架类型

P-通道

最大连续漏极电流 Id

40A

最大漏源电压 Vd

5V

包装类型

TO-252

安装类型

表面安装

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

31Ω

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

27.6nC

最大功耗 Pd

53W

最大栅源电压 Vgs

-10V

正向电压 Vf

-1.2V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

高度

2.3mm

长度

6.8mm

宽度

6.4mm

标准/认证

RoHS Compliant

汽车标准

AEC-Q101

ROHM 功率 MOSFET 专为高效开关应用而设计，具备 -40V 的额定电压和高达 -40V 的显著持续漏极电流能力，可提供稳健性能。

低导通电阻，最大 RDS(on) 为 24.0mΩ

100% Avalanche 测试，可靠性更高

通过 AEC-Q101 认证，确保符合汽车应用

符合 RoHS 标准，采用无铅镀层，确保环境安全。

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